Predstavljen MRAM

Na simpoziju VLSI u Kyotu u Japanu IBM i Infineon su predstavili MRAM (Magnetic Random Access Memory).

Predstavljena je bila 128 KB MRAM jezgra, najnaprednija u dosadašnjem razvoju tehnologije. Površina najmanje MRAM ćelije iznosi 1.4 četvorna mikrona. Točnim uzrokovanjem magnetskih struktura Infineonovi stručnajci upjeli su uspješno kontrolirati operacije pisanja i čitanja. Razlika između MRAM-a i RAM-ova kakvi se danas koriste je u tome što MRAM za pohranu podataka koristi magnetske naboje, umjesto dosada korištenih električnih. Ostale odlike MRAM-a su manja potrošnja i znatno brži pristup memorijskim resursima. MRAM modul zadržava pohranjene informacije i nakon prestanka napajanja pa će biti omogućeno znatno brže podizanje sistema.